国产光刻机关键技术有望取得新突破，我国实现0.1纳米万层镀膜工艺！

由国家发改委立项支持、中科院高能物理研究所承建的高能同步辐射光源（HEPS）首台科研设备于6月28日上午安装，为其提供技术研发与测试支撑能力的先进光源技术研发与测试平台（PAPS）启动试运行。

其中，中科科仪控股公司中科科美研制的直线式劳埃透镜镀膜装置及纳米聚焦镜镀膜装置也于同一天正式投入使用。

在两装置研制过程中，中科科美突破了多项先进制造技术：

1、精密加工制造技术，实现大型真空腔室及复杂运动系统精密加工与装配、减震及超洁净等严苛设计指标；

2、大型真空系统超高真空获得技术，实现结构复杂、内部零部件放气量大的大型真空腔室系统极限真空度达到10-6Pa；

3、高精度直线运动控制技术，实现长距离导轨运行平行度达到微米量级、运动系统速率稳定性控制在千万之一以内；

4、复杂镀膜工艺技术，实现高精度纳米量级万层镀膜工艺，膜厚精度控制在0.1纳米以内。

经相关主管部门和院所专家委员会现场测试，高精密镀膜装置结构设计合理、制造工艺先进、主要性能指标达到国际同类产品水平，填补了该领域内多项国内技术空白。

给大家总结一下上面的内容，中科院高能物理研究所打造了一个高能同步辐射光源，为当下全球最亮的光源之一，其中来自中科科美的2个设备正式投入使用，虽然这并不是直接与光刻机制造有关的技术，但是大家都知道，光刻机的核心部件就包括镜头。而中科科美的纳米级镜镀膜装置，可以对光学零部件实现0.1纳米的万层镀膜工艺，可有效提高光镜的质量、镜面光洁度等，所以是一项突破性的技术成果。

晶圆在曝光过程中，对负责打光的光学镜头的要求也极高，从镜面光洁度来说，7纳米及7纳米以下制程的芯片对EUV光源分辨率、纯度的极高要求，EUV光刻机镜头的光洁度不得高于50皮米。很多小伙伴不知道皮米的概念，首先1米等于1万亿皮米，其次0.1纳米等于100皮米。所以，这次中科科美实现0.1纳米镀膜工艺，意味着我们在EUV光学镜头方面的有关技术，又取得了一次进步。

同时，高能同步辐射光源也将为我国基础科学和工程科学领域原创性、突破性创新研究提供重要支撑平台。那么，关于以上内容，大家有什么想法，欢迎留言一起交流讨论。也让我们一起，给中国半导体加油！